Các cơ chế phản ứng của gốc etinyl (C2H) với phân tử silan (SiH4) được nghiên cứu bằng phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) B3LYP với bộ hàm cơ sở 6-311++G(d,p) và 6-311++G(3df,2p). Từ đó thiết lập được bề mặt thế năng của hệ phản ứng. Kết quả tính toán cho thấy sản phẩm của phản ứng có thể là: SiH3 + C2H2, HCCSiH3 + H, C2H4 + SiH, HHCCSiH2 + H, HSiCHCH2 + H, SiCH2 + CH3, SiCH2CH2 + H, SiCHCH3 + H, SiH3 + HHCC. Tuy nhiên sự hình thành SiH3 + C2H2, C2H4 + SiH là thuận lợi nhất. Nghiên cứu này là một đóng góp cho sự hiểu biết về các cơ chế phản ứng của gốc ethynyl với nhiều gốc tự do và phân tử nhỏ trong khí quyển và sự đốt cháy.
Năm 2024 
